A Samsung está acelerando seu cronograma para a produção em massa de chips de 2nm (nanômetros), atingindo um marco significativo em sua jornada de semicondutores para 2025. Recentemente, um relatório da Business Korea revelou que a empresa está desenvolvendo sua tecnologia de transistor GAA (Gate All Around) de terceira geração, destinada a ser aplicada em seus futuros chips de 2nm.
A empresa sul-coreana, conhecida pela busca da liderança em semicondutores, já havia adotado a arquitetura GAA para seus chips de 3nm em 2022, um movimento pioneiro no setor. Agora, com a terceira geração da tecnologia GAA em desenvolvimento, seguem na busca da eficiência e desempenho.
Segundo o relatório, a Samsung está programada para apresentar um artigo detalhando sua tecnologia GAA no Simpósio VLSI 2024. Este evento global de semicondutores ocorrerá no Havaí de 16 a 20 de junho, juntamente com outras conferências de destaque, como a ISSCC e o IEDM.
Enquanto a empresa avança em direção à produção de chips de 2nm, seu principal concorrente, a TSMC, também está seguindo o mesmo caminho, planejando utilizar a tecnologia GAA em seus próprios chips de 2nm no próximo ano. No entanto, a Samsung mantém uma vantagem tecnológica por ser a única empresa atualmente produzindo em massa com essa arquitetura.
A arquitetura GAA oferece melhorias significativas em desempenho, eficiência energética e, especialmente, no tamanho do chip. As gerações anteriores já demonstraram reduções notáveis e melhorias no desempenho. Com a terceira geração da tecnologia GAA a caminho, espera-se ainda mais aprimoramentos nesses aspectos.
Porém, a empresa ainda enfrenta o desafio de garantir grandes contratos de fabricação. Enquanto isso, sua concorrente TSMC já assegurou importantes contratos para chips de 3nm. No entanto, rumores sugerem que a Qualcomm pode estar interessada em amostras de 2nm da Samsung, o que poderia mudar o jogo para a empresa sul-coreana na corrida pelos chips mais avançados do mercado.
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